Научный семинар ТОП ФИАН состоялся во вторник 11 марта в 11.00 в конференц-зале корпуса КРФ-2.
Докладчик: Дмитрий Евгеньевич Свиридов – канд. физ.-мат. наук, научный сотрудник лаборатории лазеров с катодно-лучевой накачкой (ТОП ФИАН).
Тема доклада: Применение микроскопии сопротивления растекания для анализа структуры и электронных свойств
в полупроводниковой технологии.
Аннотация: Микроскопия сопротивления растекания (МСР) в атмосферных условиях позволя-ет визуализировать двумерное распределение проводящих свойств по поверхности с ла-теральным разрешением ~ 1 нм, проводить количественные измерения концентрации ле-гирующих примесей в областях полупроводниковых устройств с помощью калибровоч-ных измерений, определять локальный тип основных носителей заряда, изучать фотопро-водящие характеристики устройств в наномасштабе, измерять толщины слоев сверхре-шёток и гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) на сколе, а также изучать их элек-тронные и структурные свойства. Данный метод может использоваться в качестве экс-прессного диагностического инструмента для рутинных измерений, дополняющего дру-гие стандартные методы анализа внутренней структуры полупроводниковых устройств, такие как сверхвысоковакуумная просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) и сканирующая туннельная микроскопия (СТМ). В данном докладе будут представлены примеры применения метода МСР для изучения транзисторных структур на основе GaAs и Si, гетероструктур с КЯ AlGaN, а также сверхрешёток InAs/GaSb.
