Научный семинар ТОП ФИАН состоится 21 октября 2025 г. во вторник в 14:30 в конференц-зале корпуса КРФ-2.
Тема доклада: АВЕСТА – ФИАН: 35 лет.
Докладчики: Конященко Александр Викторович (генеральный директор ООО «АВЕСТА»), Конященко Матвей Александрович (зам. ген. директора ООО «АВЕСТА»).
Аннотация: Краткий обзор становления компании, истории взаимодействия с ФИАН, текущих разработок и перспектив.
Докладчик: Резников Константин Евгеньевич (аспирант 3 г.о. ТОП ФИАН; ООО «АВЕСТА»).
Тема доклада: Особенности использования прямой диодной накачки в твердотельном титан-сапфировом лазере.
Аннотация: Несмотря на достижения в области разработки Ti:Sa лазеров с прямой диодной накачкой, эффективность преобразования оптической накачки в сигнальное излучение как в непрерывных, так и в импульсных лазерах остаётся небольшой. Это связано со сложностью достижения максимального перекрытия диодной накачки и лазерной моды и с модуляционной неустойчивостью в импульсных лазерах.
Нами представлено теоретическое и экспериментальное исследование техники лазерной накачки, которая включает спектральное и пространственное сведение излучений от синих и зеленых лазерных диодов. При максимальной суммарной мощности накачки 15 Вт генерируемая выходная мощность на 770 нм достигает 2,5 Вт в непрерывном режиме. При накачке мощностью 14,5 Вт реализуется выходная мощность 1,84 Вт в фемтосекундном режиме (100 фс).
Рассмотрено явление модуляционной неустойчивости на основе кубического уравнения Гинзбурга – Ландау, теоретически и экспериментально исследованы механизмы повышения порога появления модуляционной неустойчивости в Ti:Sa лазере.
Докладчик: Дальберг Татьяна Александровна (РТУ МИРЭА, ООО “АВЕСТА”).
Тема доклада: Исследование эффективности применения лазерных диодов в качестве источника накачки титан-сапфировых лазерных генераторов.
Аннотация: Представлен сравнительный анализ эффективности двух методов накачки непрерывного титан-сапфирового лазера: традиционной схемы с использованием твердотельного DPSS-лазера (532 нм) и инновационного метода прямой накачки активной среды лазерными диодами на основе GaN (455 нм). Выполнена количественная оценка ключевых параметров Ti:Sa лазера: порога генерации, эффективности преобразования мощности оптической накачки в выходное излучение лазера, качества выходного пучка излучения для каждого из методов.
Продемонстрировано, что метод прямой диодной накачки обеспечивает порог генерации на уровне 2,55 Вт и эффективность преобразования 9 %, при этом максимальная выходная мощность составляет 0,45 Вт на центральной длине волны 800 нм. При использовании для накачки DPSS-лазера порог генерации составил 1,2 Вт, а эффективность преобразования – 25,5%. Проведенные измерения показали, что перестройка длины волны излучения Ti:Sa лазера в диапазоне (700-1000) нм для обоих методов накачки реализуется при сохранении высокого качества выходного пучка (M² < 1,1).
Полученные результаты демонстрируют высокий потенциал методики прямой диодной накачки, открывая перспективы для создания коммерчески доступных мощных титан-сапфировых лазеров нового поколения, для использования в фундаментальных и прикладных научных исследованиях.
